Produsen RAM Asal Tiongkok Mulai Gunakan Modul Memori 24 Gb DDR5 Buatan Domestik
Sejumlah produsen memori asal Tiongkok, seperti Gloway dan KingBank, dilaporkan telah mulai mengintegrasikan chip memori DDR5 hasil produksi dalam negeri ke dalam jajaran lini produk RAM kelas consumer mereka. Langkah strategis ini secara efektif memangkas ketergantungan jangka panjang industri teknologi lokal terhadap pasokan komponen DRAM dari raksasa semikonduktor luar negeri seperti Micron, SK hynix, dan Samsung.
Gloway dan KingBank kini secara aktif mengadopsi modul DDR5 berkapasitas 24 Gb (Gigabit) yang dikembangkan oleh pabrikan semikonduktor domestik, CXMT. Komponen ini didistribusikan ke pasar sebagai bagian dari paket memori kit berkapasitas total 48 GB. Melalui konfigurasi kerapatan sebesar 3 GB per modul, produsen menyematkan delapan unit modul pada satu keping DDR5 DIMM untuk menghasilkan kapasitas tunggal sebesar 24 GB. Dengan demikian, dalam konfigurasi standar dual-channel atau dual DIMM yang umum digunakan pada komputer desktop modern, Gloway dan KingBank dapat menawarkan kapasitas total sebesar 48 GB kepada para pengguna.
Sebagai perwujudan dari adopsi teknologi ini, Gloway telah menyiapkan varian memori khusus yang diberi nama Longwuyi Yi Special Edition. Memori kit ini dirancang untuk beroperasi pada kecepatan transfer data sebesar 6.000 MT/s dengan konfigurasi latensi CL36-38-38-80 pada tegangan operasional yang tergolong efisien, yakni 1.2 V. Selain itu, lini produk ini dikembangkan secara khusus untuk memberikan kompatibilitas serta performa optimal pada sistem yang ditenagai oleh prosesor AMD. Demi menjaga kestabilan operasional saat menangani beban kerja tinggi, modul RAM ini dilengkapi dengan unit heat spreader kustom serta thermal pad berkualitas dengan konduktivitas termal mencapai 5 W/mK untuk meredam panas secara efektif.
Di sisi lain, KingBank menghadirkan lini memori kepingan mereka sendiri dengan menggunakan komponen pendingin heat spreader setebal 2 mm. Pabrikan ini menyematkan material antarmuka termal khusus tepat di atas komponen PMIC (Power Management Integrated Circuit) untuk mengoptimalkan manajemen suhu pada sirkulus daya RAM. Tidak ketinggalan, aspek estetika juga diperhatikan melalui penyematan sistem pencahayaan dual-side RGB LED yang dapat dikustomisasi secara fleksibel oleh pengguna melalui perangkat lunak pendukung.
Perkembangan teknologi memori dari CXMT sendiri menunjukkan grafik yang sangat progresif. Pada awal tahun ini, perusahaan semikonduktor tersebut dipastikan telah mulai mendistribusikan chip DDR5 berkapasitas 16 Gb yang mampu menyentuh kecepatan operasional hingga 8.000 MT/s. Chip tersebut memiliki dimensi fisik sebesar 67 mm² dengan tingkat kerapatan data mencapai 0.239 Gb per milimeter persegi. Komponen sel memori berkode G4 DRAM ini tercatat memiliki ukuran fisik 20% lebih kecil dibandingkan dengan sel memori generasi G3 buatan mereka sebelumnya. Rekam jejak teknologi CXMT sendiri bermula dari pengembangan node manufaktur berskala 23 nm untuk generasi G1 dan 18 nm untuk generasi G2.
Meskipun chip memori 24 Gb saat ini sudah memasuki tahap produksi massal, kecepatan operasionalnya untuk sementara waktu masih berada di level yang sedikit lebih rendah, yakni di kisaran 6.000 MT/s. Untuk dapat menyentuh tingkat transfer rate yang lebih tinggi di masa mendatang, pihak pabrikan diperkirakan masih membutuhkan implementasi komponen clock driver tambahan serta optimalisasi teknis lebih lanjut pada arsitektur silikon mereka.
Sumber: Wccftech
