Samsung Pertimbangkan Alihkan Kapasitas HBM3E ke DRAM Reguler

Samsung dilaporkan sedang meninjau strategi produksi memori dengan mengalihkan sebagian kapasitas HBM3E ke DRAM reguler untuk memenuhi lonjakan permintaan. Langkah ini dilakukan seiring transisi perusahaan dari HBM3/HBM3E menuju HBM4.

Rencana Konversi Produksi

• Sekitar 30–40% kapasitas HBM akan dialihkan dari proses 10 nm-class 1a DRAM ke 10 nm-class 1b DRAM.
• Target produksi mencakup DDR5, LPDDR5X, LPDDR6, dan GDDR7.
• Dengan investasi tambahan untuk memanfaatkan node lama seperti 1z, Samsung berharap menambah kapasitas hingga 80.000 wafer per bulan untuk lini 1b.

Pertimbangan Margin

• HBM3E (12-hi stack): margin operasi sekitar 30%.
• DRAM reguler: margin jangka pendek diperkirakan >60%.
• Penurunan harga jual rata-rata HBM3E dan permintaan terbatas dari pelanggan utama membuat ekspansi HBM3E kurang menarik.

Dampak Pasar

• Permintaan DRAM mencapai rekor tertinggi, terutama dari industri AI.
• Semua kapasitas DRAM tambahan dipastikan terserap oleh hyperscaler untuk ekspansi data center.
• Kapasitas HBM3E yang tersisa akan digunakan oleh ASIC designer seperti Google, Broadcom, dan MediaTek.
• Perubahan ini membutuhkan waktu berbulan-bulan untuk terlihat di rantai pasok, karena proses produksi chip DRAM dari awal hingga siap pakai memakan waktu panjang.

Kesimpulan

Samsung memilih fokus pada DRAM reguler dengan margin lebih tinggi dan permintaan lebih stabil, sembari tetap mempertahankan sebagian kapasitas HBM3E untuk pelanggan khusus. Langkah ini menegaskan pergeseran strategi menuju pasar AI dan hyperscale yang sedang booming.

Sumber: DealSite Korea, via @jukan05 on X