Kioxia Mulai Kirim Sampel BiCS FLASH Generasi ke-10, Siap Dukung SSD AI Berkecepatan Tinggi
Kioxia Corporation mengumumkan dimulainya pengiriman sampel BiCS FLASH generasi ke-10 berkapasitas 1 Tb (terabit) Triple-Level Cell (TLC). Teknologi NAND Flash terbaru ini ditujukan untuk memperkuat jajaran SSD enterprise dan data center perusahaan dalam memenuhi kebutuhan penyimpanan untuk beban kerja kecerdasan buatan (AI).
Chip NAND terbaru tersebut akan diproduksi menggunakan fasilitas Kitakami Plant Fab2 milik Kioxia di Prefektur Iwate, Jepang.
Fokus pada SSD untuk AI dan Data Center
Meningkatnya penggunaan AI mendorong kebutuhan terhadap media penyimpanan yang menawarkan:
- performa lebih tinggi;
- kapasitas lebih besar;
- konsumsi daya yang lebih rendah.
Melalui BiCS FLASH generasi ke-10, Kioxia menargetkan pasar enterprise SSD dan data center SSD, yang membutuhkan bandwidth tinggi sekaligus efisiensi energi untuk menangani beban kerja AI modern.
Menggunakan Teknologi CBA dan OPS
BiCS FLASH generasi ke-10 memanfaatkan dua teknologi utama yang sebelumnya telah diperkenalkan sejak generasi kedelapan, yaitu:
- CMOS directly Bonded to Array (CBA);
- On-Pitch Select Gate Drain (OPS).
Kombinasi keduanya memungkinkan peningkatan performa sekaligus efisiensi tanpa mengorbankan kepadatan penyimpanan.
Kecepatan Antarmuka Meningkat Hingga 4,8 Gb/s
Salah satu peningkatan terbesar terdapat pada kecepatan antarmuka NAND.
BiCS FLASH generasi ke-10 mampu mencapai 4,8 Gb/s, atau sekitar 33% lebih cepat dibandingkan BiCS FLASH generasi kedelapan.
Peningkatan bandwidth ini membantu SSD enterprise memberikan throughput yang lebih tinggi, terutama untuk aplikasi AI, analisis data, dan komputasi berkinerja tinggi (HPC).
Mengusung 332 Layer NAND
Teknologi terbaru Kioxia menggunakan 332 lapisan (layer) NAND Flash.
Selain peningkatan jumlah layer, perusahaan juga meningkatkan kepadatan horizontal sehingga menghasilkan:
- peningkatan kepadatan bit hingga 59% dibandingkan generasi sebelumnya;
- kapasitas penyimpanan yang lebih besar tanpa memperbesar ukuran chip.
Konsumsi Daya Lebih Efisien
Selain meningkatkan performa, Kioxia juga berfokus pada efisiensi energi.
BiCS FLASH generasi ke-10 diklaim menghadirkan:
- efisiensi daya saat proses tulis meningkat 18%;
- efisiensi daya saat proses baca meningkat 30%.
Perbaikan tersebut diharapkan mampu membantu operator pusat data menekan konsumsi listrik sekaligus mengurangi biaya operasional.
Strategi Dua Jalur Pengembangan
Kioxia juga kembali menegaskan strategi pengembangan NAND Flash yang disebut sebagai dual-axis strategy.
Dalam strategi ini perusahaan mengembangkan dua lini produk secara bersamaan, yaitu:
BiCS FLASH Generasi ke-9
- menawarkan performa tinggi;
- biaya investasi produksi lebih rendah;
- cocok untuk berbagai kebutuhan pasar saat ini.
BiCS FLASH Generasi ke-10
- menggunakan teknologi layer stacking yang lebih canggih;
- menghadirkan kapasitas lebih besar;
- menawarkan performa lebih tinggi;
- ditujukan untuk kebutuhan AI dan data center generasi berikutnya.
Dengan pendekatan tersebut, Kioxia berharap dapat melayani berbagai segmen pasar tanpa bergantung pada satu jalur pengembangan teknologi saja.
Siap Mendukung Infrastruktur AI Modern
Melalui dimulainya pengiriman sampel BiCS FLASH generasi ke-10, Kioxia semakin memperkuat posisinya di pasar penyimpanan enterprise yang terus berkembang pesat akibat meningkatnya kebutuhan infrastruktur AI.
Dengan kombinasi kecepatan antarmuka hingga 4,8 Gb/s, teknologi 332-layer NAND, konsumsi daya yang lebih efisien, dan kapasitas yang lebih tinggi, teknologi NAND Flash terbaru ini diproyeksikan menjadi fondasi bagi SSD enterprise dan data center generasi berikutnya.
Sumber: Kioxia
