Samsung Konfirmasi Memori HBM4E Berkecepatan 16 Gbps Per Pin untuk Akselerator AI
Pada sesi Advance Program di konferensi Hot Chips 2026, perwakilan divisi semikonduktor Samsung, Sangwook Han, mengonfirmasi bahwa perusahaan tengah bersiap untuk mengirimkan memori High Bandwidth Memory generasi terbaru, HBM4E, dengan kecepatan transmisi mencapai 16 Gbps per pin. Perkembangan ini mempertegas kemajuan signifikan Samsung dalam peta jalan penskalaan memori generasi mendatang, menyusul pengiriman memori HBM4E berkecepatan 14 Gbps per pin yang telah berjalan sejak akhir Mei tahun ini.
Lompatan performa ini terbilang impresif mengingat memori HBM4 standar besutan Samsung saat ini beroperasi pada kecepatan 11,7 Gbps per pin. Peningkatan ke varian HBM4E 16 Gbps membuka kapasitas throughput data yang jauh lebih masif guna menopang beban kerja kecerdasan buatan (AI workloads) dan komputasi performa tinggi (HPC).
Lonjakan Bandwidth Memori hingga 4 TB/s Per Stack
Pada konfigurasi saat ini dengan kecepatan 14 Gbps per pin dan susunan 2.048 pin per stack, memori HBM4E mampu menghasilkan bandwidth puncak sebesar 3,6 TB/s. Dengan meningkatnya kecepatan ke 16 Gbps per pin, bandwidth maksimum melonjak hingga 4 TB/s untuk satu tumpukan (stack) memori tunggal. Mengingat satu chip akselerator AI atau GPU tingkat lanjut umumnya menggunakan sekitar selusin stack memori, total agregat bandwidth memori yang dihasilkan akan meningkat secara drastis.
Dari sisi densitas dan kapasitas:
- Samsung saat ini menyediakan konfigurasi 12-lapis (12-high stack) dengan kerapatan memori sebesar 48 GB per stack.
- Berdasarkan permintaan dan kebutuhan kustomisasi pelanggan di masa mendatang, Samsung juga menyiapkan opsi susunan 8-lapis (8-high) berkapasitas 32 GB serta 16-lapis (16-high) dengan kapasitas hingga 64 GB per stack.
Inovasi Proses Fabrikasi dan Base Die 4 nm SF4
Untuk memproduksi modul memori berdensitas tinggi ini, Samsung memanfaatkan proses manufaktur DRAM kelas 10 nm generasi ke-6 (6th-generation 10 nm-class process) yang kemudian ditumpuk dalam struktur multi-lapisan.
Arsitektur memori HBM4E ini juga mengintegrasikan komponen custom base die yang diproduksi menggunakan node fabrikasi 4 nm SF4 milik Samsung. Penggunaan proses 4 nm pada lapisan dasar ini dirancang khusus guna memfasilitasi kebutuhan integrasi tingkat lanjut (advanced packaging) yang lebih fleksibel dan efisien bagi para produsen prosesor AI global.
Sumber: Konferensi Teknologi Hot Chips 2026
