Samsung Targetkan Kecepatan 13 Gbps untuk HBM4e, Catat Laba Operasional $8,5 Miliar di Q3 2025
Samsung Electronics memamerkan detail terbaru memori HBM4e generasi berikutnya di ajang OCP Global Summit 2025, dengan target kecepatan per-pin di atas 13 Gbps dan bandwidth total mencapai 3,25 TB/s — sekitar 2,5× lebih cepat dibanding HBM3e.
Selain peningkatan performa, Samsung juga menjanjikan efisiensi daya dua kali lipat, dengan konsumsi energi turun di bawah 1,95 pJ/bit, atau kurang dari setengah tingkat HBM3e.
⚙️ HBM4e — Memori Ultra Cepat untuk Era AI
Menurut laporan SeDaily dan TweakTown, pengembangan HBM4e ini dipicu oleh permintaan NVIDIA, yang membutuhkan memori berkecepatan tinggi untuk AI accelerator Vera Rubin.
Meskipun standar JEDEC HBM4 hanya mencakup bandwidth hingga 8 Gbps per pin, NVIDIA disebut mendorong Samsung, SK hynix, dan Micron untuk menembus angka 10 Gbps ke atas.
Laporan Chosun Daily menyebut Samsung bahkan membubarkan task force peningkatan yield 1c DRAM demi mempercepat produksi massal HBM4. Hasil pengujian awal memang menunjukkan yield di bawah 50 %, namun Samsung melompati tahap tinjauan produksi internal dan langsung mempercepat ramp-up.
Selain itu, TrendForce menambahkan bahwa Samsung mengalihkan proses die dasar HBM4 ke node 4 nm FinFET, menempatkannya selangkah di depan kompetitor dalam hal kecepatan dan skala manufaktur. Produksi volume chip berkemampuan 10 Gbps diperkirakan dimulai akhir 2025.
💰 Laba Operasional Q3 2025 Tembus $8,5 Miliar
Selain kabar teknis, Samsung juga mengumumkan hasil keuangan kuartal ketiga 2025 dengan laba operasional mencapai 12,1 triliun won (~$8,5 miliar) — naik 32 % dibanding tahun lalu dan jauh melampaui perkiraan pasar sekitar 10 triliun won.
Menurut TrendForce, yang mengutip Reuters, ZDNet, dan Chosun Daily, divisi semikonduktor (DS) menyumbang sekitar 5 triliun won (~$3,5 miliar), melonjak lebih dari 10× dibanding laba kuartal sebelumnya sebesar 400 miliar won (~$281 juta).
Kebangkitan ini terutama disebabkan oleh peningkatan performa divisi foundry, yang kini beroperasi pada kapasitas lebih tinggi dan menarik lebih banyak pelanggan baru.
Samsung berencana merilis laporan keuangan lengkap dengan rincian per divisi pada 30 Oktober 2025.
🔍 Ringkasan
| Aspek | Detail |
|---|---|
| Produk Baru | Samsung HBM4e |
| Kecepatan per Pin | > 13 Gbps |
| Total Bandwidth | 3,25 TB/s |
| Efisiensi Daya | < 1,95 pJ/bit |
| Proses Fabrikasi | 4 nm FinFET |
| Produksi Volume | Akhir 2025 |
| Laba Q3 2025 | 12,1 triliun won (~$8,5 miliar) |
| Laba Divisi Semikonduktor | ~5 triliun won (~$3,5 miliar) |
| Faktor Utama Kenaikan | Peningkatan kinerja foundry & pelanggan baru |
Sumber: TrendForce, Samsung, SeDaily, Reuters, ZDNet
