Samsung Gandeng TSMC untuk Produksi Base Die Memori Standar NVHBM NVIDIA
Samsung dilaporkan menjalin kerja sama strategis dengan produsen cip terbesar di dunia, TSMC, guna mengamankan pasokan base die untuk standar memori terbaru besutan NVIDIA, yakni NVHBM. Standar NVHBM ini mengintegrasikan pengontrol (controller) langsung ke dalam tumpukan memori 3D HBM, sehingga mampu mendongkrak performa dan efisiensi secara drastis.
Dibandingkan dengan standar HBM4E konvensional, NVIDIA mengklaim bahwa arsitektur NVHBM mampu menyajikan peningkatan bandwidth memori hingga 30%, konsumsi daya HBM yang lebih hemat 15%, serta perluasan area compute die yang dapat digunakan pada unit pemrosesan hingga 25%. Secara sederhana, NVHBM merupakan pengembangan dari arsitektur HBM standar yang disertai kustomisasi base die. Namun, terdapat sejumlah persyaratan ketat yang wajib dipenuhi sebelum proses produksi massal dapat dijalankan.
Salah satu syarat utama yang cukup menyita perhatian adalah keharusan agar base die NVIDIA dalam arsitektur NVHBM wajib diproduksi menggunakan simpul 3 nm milik TSMC. Meskipun Samsung telah memiliki lini produksi 3 nm sendiri, kekayaan intelektual (IP) milik NVIDIA telah dioptimalkan secara khusus untuk proses fabrikasi TSMC. Kondisi ini memaksa Samsung untuk bekerja sama dengan sang kompetitor dan bertindak sebagai pelanggan, terlepas dari kepemilikan fasilitas pabrikasinya sendiri.
Kendati demikian, kolaborasi ini terbatas pada komponen base die yang diletakkan langsung di samping compute tiles. Untuk komponen memorinya, Samsung akan tetap menggunakan proses fabrikasi 10 nm generasi keenam yang memang menjadi standar lumrah dalam manufaktur HBM. Artinya, hanya sebagian kecil dari rantai produksi NVHBM ini yang akan ditangani oleh TSMC.
Lonjakan Performa dan Keunggulan Bandwidth hingga 5.2 TB/s
Sebelumnya, Samsung telah sukses mengembangkan teknologi tingkat lanjut seperti HBM4E dengan kecepatan memori mencapai 16 Gbps per pin, memperkuat posisi divisi semikonduktor mereka setelah sebelumnya rutin mengirimkan HBM4E berkecepatan 14 Gbps per pin sejak akhir Mei lalu. Kendati demikian, keikutsertaan aktif Samsung dalam adopsi NVHBM menunjukkan bahwa para pelaku industri kini tengah memburu alternatif solusi yang jauh lebih bertenaga.
Dengan memperhitungkan klaim peningkatan bandwidth NVHBM sebesar 30% dari NVIDIA, satu modul NVHBM secara teoretis diproyeksikan mampu mencapai kecepatan transfer data hingga kisaran 5,2 TB/s. Dari sisi efisiensi daya, pemangkasan konsumsi daya HBM sebesar 15% tidak hanya mendongkrak efisiensi keseluruhan, tetapi juga memberikan ruang termal (thermal headroom) tambahan yang sangat berharga bagi compute die utama.
Sumber: SE Daily
