Chip Memori DDR5 3 GB Generasi Kedua SK hynix “A-Die” Muncul, Siap Capai Kecepatan 7200 MT/s

Generasi terbaru chip memori DDR5 dari SK hynix baru-baru ini terungkap di dunia maya, menandai kemunculan IC A-die 3 GB generasi kedua yang diklaim mampu mencapai kecepatan hingga 7200 MT/s. Informasi ini pertama kali dibagikan oleh Kevin Wu dari Team Group melalui unggahan di Facebook, menampilkan chip dengan kode “X021” dan label “AKBD”.

A-Die Generasi Kedua: Penerus Langsung M-Die

Menurut pembocor terkenal @unikoshardware, kode X021 menunjukkan bahwa chip ini merupakan penerus langsung dari 3 GB M-die yang digunakan pada modul DDR5 generasi awal. Berdasarkan sistem klasifikasi internal SK hynix, kombinasi huruf “KB” pada kode AKBD mengindikasikan kecepatan native 7200 MT/s sesuai standar JEDEC.

Sebelumnya, SK hynix telah mengikuti pola penamaan progresif berdasarkan bin kecepatan:

• EB → 4800 MT/s
• HB → 6400 MT/s
• KB → 7200 MT/s

Dengan pola ini, chip A-die AKBD menjadi langkah logis berikutnya, sekaligus menandai upaya SK hynix untuk meningkatkan performa DDR5 secara signifikan menjelang peluncuran platform Intel generasi berikutnya — Panther Lake dan Arrow Lake Refresh, yang diperkirakan akan mendukung hingga DDR5-7200 secara native.

Desain PCB dan Potensi Overclocking

Contoh chip yang beredar menggunakan PCB 8-layer, yang berpotensi membatasi kemampuan overclocking ekstrem di atas 8000 MT/s karena keterbatasan integritas sinyal.

Produsen modul memori diperkirakan akan beralih ke PCB 10 atau 12-layer pada model high-end untuk memaksimalkan potensi A-die terbaru ini, terutama bagi pengguna enthusiast yang mengejar latensi rendah dan performa ekstrem.

Meskipun SK hynix belum mengumumkan secara resmi chip ini, kemunculan sampel 3 GB A-die AKBD menunjukkan bahwa produksi massal kemungkinan sudah dimulai dan modul DDR5 baru berbasis IC ini bisa segera memasuki pasar.

SK hynix Ambil Alih Dominasi dari Samsung

Pada era DDR4, Samsung B-die dikenal sebagai standar emas di kalangan overclocker dan produsen memori premium. Namun, di era DDR5, dominasi mulai beralih ke tangan SK hynix dengan chip A-die dan M-die yang terbukti memiliki efisiensi, skalabilitas, dan kestabilan sinyal lebih unggul pada frekuensi tinggi.

Dengan hadirnya A-die generasi kedua, SK hynix semakin memperkuat posisinya sebagai pemimpin industri DRAM, terutama di segmen high-performance gaming, workstation, dan overclocking enthusiast.

Ringkasan Teknis SK hynix 3 GB DDR5 A-Die (AKBD)

Dengan peningkatan performa hingga 7200 MT/s dan potensi overclock di atas 8000 MT/s, chip baru ini akan menjadi pondasi utama modul DDR5 high-end generasi mendatang dari berbagai produsen memori ternama seperti G.Skill, Team Group, Corsair, dan Kingston.

Sumber: Wccftech, @unikoshardware