Prototipe Mesin Litografi EUV Buatan China Dilaporkan Mulai Diuji
China dilaporkan telah mengembangkan prototipe mesin litografi extreme ultraviolet atau EUV yang kini tengah memasuki tahap pengujian. Informasi ini berasal dari sumber yang dekat dengan Reuters, yang menyebutkan bahwa pencapaian tersebut merupakan hasil upaya perusahaan-perusahaan teknologi China dalam merekayasa ulang mesin EUV buatan ASML menggunakan komponen bekas.
Prototipe mesin EUV ini dikabarkan memiliki ukuran yang sangat besar, hingga memakan satu lantai penuh fasilitas pabrik. Skala tersebut disebut sebanding dengan mesin High-NA EUV terbaru milik ASML. Untuk mewujudkannya, perusahaan-perusahaan China dilaporkan memperoleh berbagai komponen dari mesin EUV generasi lama ASML yang tersedia di pasar sekunder. Pemerintah China sebelumnya menargetkan agar prototipe ini mampu menghasilkan chip fungsional pada 2028.
Inisiatif pengembangan mesin EUV domestik ini dipimpin oleh Huawei. Raksasa teknologi asal China tersebut tengah membangun rantai pasok kecerdasan buatan yang sepenuhnya mandiri, sebagai upaya mengurangi ketergantungan terhadap teknologi asing. Di kawasan Guanlan, Huawei telah mendirikan fasilitas manufaktur semikonduktor terpadu yang mampu memproduksi chip dengan teknologi 7 nanometer untuk prosesor rancangan internal.
Ketidakpuasan terhadap kapasitas produksi SMIC yang terbatas mendorong Huawei mengambil alih hampir seluruh proses produksi silikon. Langkah ini mencakup pengadaan material dan bahan kimia, peralatan fabrikasi wafer, hingga desain chip. Huawei disebut melakukan upaya besar-besaran untuk mengembangkan seluruh komponen rantai pasok AI secara mandiri, mulai dari peralatan fabrikasi hingga pengembangan model, termasuk kini mesin EUV untuk node manufaktur yang lebih canggih.
Pada awal 2025, laporan sebelumnya menyebutkan bahwa sebuah mesin EUV baru telah diuji di fasilitas Huawei di Dongguan. Mesin tersebut menggunakan pendekatan laser-induced discharge plasma atau LDP, yang dinilai berpotensi menjadi terobosan dalam teknologi pembangkitan cahaya EUV. Metode LDP menghasilkan radiasi EUV dengan panjang gelombang 13,5 nanometer melalui proses penguapan timah di antara elektroda, kemudian mengubahnya menjadi plasma menggunakan pelepasan listrik bertegangan tinggi. Tumbukan antara elektron dan ion dalam plasma inilah yang menghasilkan panjang gelombang yang dibutuhkan untuk litografi EUV.
Pendekatan LDP ini diklaim memiliki sejumlah keunggulan dibandingkan teknik laser-produced plasma yang digunakan ASML. Keunggulan tersebut meliputi arsitektur sistem yang lebih sederhana, ukuran mesin yang lebih ringkas, efisiensi energi yang lebih baik, serta potensi biaya produksi yang lebih rendah.
Prototipe mesin EUV yang kini diuji diyakini merupakan bagian dari proyek yang sama dan telah mulai memproduksi wafer awal untuk keperluan pengujian laboratorium. Dalam beberapa kuartal ke depan, perusahaan-perusahaan China yang terlibat harus memastikan mesin tersebut mampu beroperasi secara stabil. Tantangan utama yang perlu diatasi mencakup kemampuan resolusi, kestabilan throughput, serta integrasi dengan proses manufaktur semikonduktor yang sudah ada.
Sumber: Reuters
