Samsung Kirim Sampel HBM4 ke Pelanggan, Produksi Massal Dimulai pada 2026
Samsung Electronics resmi mengonfirmasi bahwa sampel memori HBM4 (High Bandwidth Memory generasi keempat) kini telah dikirim ke pelanggan global, dengan produksi massal dijadwalkan pada tahun 2026. Pengumuman ini disampaikan bersamaan dengan laporan keuangan kuartal ketiga 2025, menandakan bahwa bisnis memori Samsung tetap kuat di tengah meningkatnya permintaan solusi memori berperforma tinggi.
“HBM3E saat ini telah diproduksi massal dan dijual ke seluruh pelanggan terkait, sementara sampel HBM4 secara bersamaan telah dikirim ke klien utama,”
— Samsung Electronics, Q3 2025 Report
Selain itu, Samsung juga menegaskan bahwa pada tahun 2026, divisi Foundry akan berfokus pada penyediaan pasokan stabil untuk produk 2 nm GAA (Gate-All-Around) serta HBM4 base-die, bersamaan dengan beroperasinya pabrik baru di Taylor, Texas sesuai jadwal.
⚙️ HBM4: Evolusi Memori untuk AI dan HPC
Teknologi HBM (High Bandwidth Memory) mengandalkan susunan chip DRAM bertingkat hingga 12 lapis (12-high stack) yang dihubungkan menggunakan TSV (Through-Silicon Via). Pada generasi HBM4, Samsung membuka kemungkinan untuk menyertakan base die kustom yang berisi sirkuit logika atau akselerator tambahan, disesuaikan dengan kebutuhan pelanggan besar seperti NVIDIA dan AMD.
Base die ini tidak berfungsi sebagai chip komputasi mandiri, tetapi berperan sebagai pengelola data cerdas untuk mempercepat transfer antar-die, mengurangi latensi, dan meningkatkan efisiensi dalam beban kerja inferensi AI, di mana waktu respons menjadi faktor kritis.
🚀 Persaingan Ketat Melebihi Standar JEDEC
Spesifikasi dasar JEDEC HBM4 menetapkan bandwidth 2 TB/s dengan kecepatan 8 Gb/s per pin melalui antarmuka 2048-bit.
Namun, pesaing seperti Micron telah memilih untuk melampaui standar tersebut — meningkatkan kecepatan hingga 11 Gb/s, atau bandwidth efektif 2,8 TB/s (sekitar 40% lebih cepat).
Dengan latar tersebut, Samsung diperkirakan akan meningkatkan performa HBM4 di atas standar JEDEC, guna memenuhi kebutuhan bandwidth ekstrem dari AI accelerator dan GPU generasi berikutnya milik NVIDIA dan AMD.
🏭 Fokus 2026: Produksi 2 nm dan Fasilitas di AS
Selain memori HBM4, Samsung menargetkan stabilitas produksi 2 nm GAA di lini foundry-nya serta mempercepat operasional pabrik baru di Taylor, Texas, yang akan menjadi pilar penting dalam rantai pasok semikonduktor global dan strategi penguatan manufaktur di Amerika Serikat.
Sumber: Samsung Electronics
