SK hynix Luncurkan Solusi UFS 4.1 dengan NAND 321-Lapisan: Performa Tinggi untuk Perangkat AI
SK hynix telah mengumumkan pengembangan solusi penyimpanan UFS 4.1 terbaru yang menggunakan NAND flash 4D dengan 321 lapisan, menjadikannya yang tertinggi di dunia saat ini. Produk ini dirancang untuk memenuhi kebutuhan perangkat mobile yang mendukung AI on-device, dengan fokus pada performa tinggi dan efisiensi daya.
🔍 Fitur Utama
- Kapasitas Tinggi: Tersedia dalam varian 512 GB dan 1 TB, menggunakan NAND triple-level cell (TLC) 1 Tb.
- Performa Unggul: Kecepatan baca sekuensial mencapai 4.300 MB/s, dengan peningkatan kecepatan baca acak sebesar 15% dan tulis acak sebesar 40% dibandingkan generasi sebelumnya.
- Efisiensi Daya: Mengurangi konsumsi daya sebesar 7% dibandingkan model sebelumnya yang menggunakan NAND 238 lapisan.
- Desain Lebih Tipis: Ketebalan chip dikurangi menjadi 0,85 mm, 15% lebih tipis dari generasi sebelumnya, memungkinkan integrasi yang lebih mudah ke dalam smartphone ultra-tipis.
🤖 Optimasi untuk AI On-Device
Dengan meningkatnya permintaan untuk AI on-device, solusi UFS 4.1 ini dirancang untuk memastikan operasi yang stabil dan responsif, mendukung multitasking dan aplikasi AI yang intensif.
📅 Ketersediaan
SK hynix berencana untuk menyelesaikan kualifikasi pelanggan pada tahun 2025 dan memulai pengiriman massal pada kuartal pertama 2026. Selain itu, perusahaan juga berencana mengembangkan SSD berbasis NAND 321 lapisan untuk konsumen dan pusat data dalam tahun ini.
Sumber: TechPowerUp
