SK hynix Siapkan LPDDR6 14,4 Gbps, Samsung Tawarkan 12,8 Gbps di ISSCC 2026
Dua raksasa memori asal Korea Selatan, SK hynix dan Samsung, bersiap memamerkan teknologi LPDDR6 generasi terbaru mereka dalam ajang International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2026 yang digelar di San Francisco pada 15–19 Februari.
Sebagai salah satu konferensi paling bergengsi di bidang desain silikon, ISSCC menjadi panggung utama bagi inovasi memori dan semikonduktor terkini. Pada edisi tahun ini, fokus tertuju pada LPDDR6—generasi keenam dari memori low-power DDR—yang menjanjikan lonjakan performa sekaligus efisiensi daya.
SK hynix Tembus 14,4 Gbps
SK hynix akan memperkenalkan modul LPDDR6 16 Gb dengan kecepatan transfer per pin mencapai 14,4 Gbps. Modul ini diproduksi menggunakan node semikonduktor 1c (1γ), yang merupakan generasi keenam dari teknologi DRAM 10 nm milik perusahaan.
Kecepatan 14,4 Gbps tersebut disebut telah mencapai batas tertinggi spesifikasi JEDEC untuk LPDDR6. Dengan pencapaian ini, SK hynix dinilai hampir memaksimalkan potensi standar baru tersebut, membuka peluang hadirnya varian LPDDR6X dengan kecepatan lebih tinggi melalui overclocking di masa mendatang.
Samsung Tingkatkan Performa ke 12,8 Gbps
Sementara itu, Samsung juga meningkatkan performa LPDDR6 miliknya. Jika pada ajang CES 2026 lalu modul yang diperkenalkan berjalan di 10,7 Gbps, kini versi terbaru mencapai 12,8 Gbps pada kapasitas yang sama, yakni 16 Gb.
Samsung memproduksi LPDDR6 ini menggunakan proses 12 nm, sedikit lebih besar dibanding node 10 nm milik SK hynix. Meski demikian, perusahaan mengklaim peningkatan efisiensi energi hingga 21% dibanding LPDDR5X generasi sebelumnya.
Dari sisi desain I/O, Samsung menggunakan sinyal NRZ dengan subchannel 12DQ. Implementasi ini diperkirakan juga diadopsi oleh SK hynix dalam konfigurasi serupa.
Fitur Keamanan dan Efisiensi Baru
LPDDR6 membawa sejumlah peningkatan signifikan dibanding generasi sebelumnya. Salah satu inovasi utama adalah integrated row activation count tracking, fitur pertama dalam standar DRAM yang dirancang untuk mengatasi serangan row hammer secara lebih efektif.
Alih-alih hanya mengandalkan mitigasi berbasis refresh seperti generasi sebelumnya, baik controller maupun chip memori kini secara aktif memantau jumlah aktivasi baris memori.
Selain itu, LPDDR6 memperkenalkan penyematan metadata langsung ke dalam paket data tanpa memerlukan pin khusus tambahan. Pendekatan ini memungkinkan penerapan koreksi kesalahan on-die dan link-level error correction dengan kemampuan koreksi satu bit serta deteksi multi-bit.
Dari sisi efisiensi daya, LPDDR6 mendukung dynamic voltage frequency scaling (DVFS) pada tiga jalur tegangan—dibanding dua pada LPDDR5. Standar baru ini juga menghadirkan mode efisiensi yang mampu menggandakan kepadatan perangkat sekaligus mengurangi konsumsi daya I/O.
Siap untuk Era AI dan Perangkat Mobile Generasi Baru
Dengan peningkatan bandwidth, efisiensi daya, dan proteksi keamanan yang lebih kuat, LPDDR6 diproyeksikan menjadi tulang punggung perangkat mobile, laptop AI, hingga sistem komputasi edge generasi berikutnya.
Kompetisi antara SK hynix dan Samsung dalam memaksimalkan potensi LPDDR6 menunjukkan percepatan inovasi memori seiring meningkatnya kebutuhan performa untuk beban kerja AI dan komputasi intensif.
