SK Hynix Tunda Ramp-Up HBM4, Fokus pada NAND Flash 300+ Layer

Perkembangan menarik terjadi di industri DRAM dan NAND flash. SK Hynix, salah satu pemain terbesar, mengumumkan pembaruan produk untuk 2026 dengan strategi yang menyesuaikan kondisi pasar. Perusahaan memutuskan menunda peningkatan kapasitas HBM4 dari kuartal kedua ke kuartal ketiga 2026, mengikuti langkah kompetitor Samsung.

Penundaan HBM4

Keputusan ini dipicu oleh tingginya permintaan terhadap HBM3E, yang masih menjadi fokus produksi. NVIDIA, pelanggan terbesar HBM SK Hynix, juga menghadapi tantangan produksi massal chip “Rubin,” sehingga kebutuhan HBM4 belum mendesak. Sementara itu, chip “Blackwell” dengan HBM3E tetap laris di pasar.

Roadmap NAND Flash Generasi Baru

SK Hynix melanjutkan roadmap 3D NAND dengan mengembangkan modul 300-layer generasi ke-10 (V10) menggunakan teknologi wafer-to-wafer hybrid bonding. Validasi dijadwalkan pada 2026, dengan produksi penuh dimulai 2027.

Berbeda dengan 321-layer V9 yang memakai pendekatan single-wafer peri-under-cell (PUC), V10 memisahkan tumpukan sel memori dan sirkuit periferal pada substrat berbeda sebelum digabungkan. Keuntungan pendekatan ini:

Namun, kompleksitas meningkat signifikan. Penyelarasan dan pengikatan wafer harus mencapai presisi nanometer di ratusan die, menuntut peralatan hybrid bonding canggih serta kontrol yield yang lebih ketat.

Dampak terhadap Pasar

Walau menjanjikan untuk jangka panjang, kapasitas baru NAND dan DRAM yang dijadwalkan akhir 2026–2027 belum mampu mengatasi kekurangan pasokan saat ini. SK Hynix berencana:

Untuk DRAM, peningkatan kapasitas belum signifikan. Namun, SK Hynix mulai memasang lebih banyak mesin EUV Low-NA, dengan target 20 unit dalam dua tahun mendatang, khusus untuk HBM dan solusi penyimpanan canggih.

Sumber: Hankyuang, ZDNet Korea

Exit mobile version