Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) mengumumkan pencapaian penting dalam teknologi nanoimprint lithography (NIL) dengan berhasil mengembangkan template berlebar garis 10 nanometer. Inovasi ini memungkinkan pembuatan pola untuk semikonduktor logika setara generasi 1.4 nm, mendukung kebutuhan miniaturisasi perangkat mutakhir seperti smartphone, data center, dan NAND flash.
Latar Belakang
Produksi semikonduktor canggih saat ini banyak bergantung pada EUV lithography, yang membutuhkan investasi besar, konsumsi energi tinggi, dan biaya operasional signifikan. DNP sejak 2003 telah mengembangkan NIL templates sebagai alternatif hemat energi dengan menekan pola sirkuit langsung ke substrat.
Fitur Utama Template 10 nm
- Self-Aligned Double Patterning (SADP): meningkatkan kepadatan pola melalui deposisi film dan proses etching.
- Teknologi photomask & wafer: memanfaatkan keahlian DNP dalam manufaktur presisi untuk mencapai lebar garis 10 nm.
- Efisiensi energi: proses NIL terbaru mampu mengurangi konsumsi daya hingga 1/10 dibandingkan ArF immersion atau EUV.
- Aplikasi luas: mendukung semikonduktor logika generasi lanjut yang terus berkembang.
Dampak Industri
Template ini dapat menggantikan sebagian proses EUV, membuka opsi bagi klien yang tidak memiliki fasilitas EUV lithography. Dengan demikian, DNP membantu menekan biaya produksi sekaligus mengurangi beban lingkungan.
Rencana ke Depan
- Evaluasi klien: uji coba NIL template sudah dimulai bersama mitra manufaktur semikonduktor.
- Produksi massal: ditargetkan mulai tahun 2027.
- Target penjualan: peningkatan kapasitas produksi dengan sasaran 4 miliar yen pada FY 2030.
- Pameran: akan ditampilkan di SEMICON Japan 2025 (Tokyo Big Sight, 17–19 Desember).
Sumber: Dai Nippon Printing