Pada Korea Tech Festival 2025 di Seoul, Samsung memperkenalkan chip memori GDDR7 40 Gbps berkapasitas 3 GB (24 Gb), yang bahkan mendapat penghargaan medali presiden. Chip ini dibangun di atas node DRAM 12 nm (kelas 10 nm) dan ditujukan untuk generasi terbaru kartu grafis.
Detail Teknologi
- Kecepatan: 40 Gbps per pin.
- Kapasitas: 3 GB per chip (24 Gb).
- Node: 12 nm DRAM.
- Produk terkait: Samsung juga memproduksi modul 28 Gbps 3 GB yang sudah masuk mass production, kemungkinan untuk NVIDIA GeForce RTX 50 SUPER refresh.
- Sampling sebelumnya: GDDR7 36 Gbps, kini ditingkatkan ke 40 Gbps.
Signifikansi
- Modul 3 GB relatif jarang digunakan, sehingga konfirmasi produksi massal menjadi langkah penting untuk opsi VRAM lebih cepat.
- Untuk peluncuran GPU baru, ketersediaan stok chip sangat krusial, sehingga NVIDIA kemungkinan akan menggunakan modul yang sudah diproduksi massal (28 Gbps) sebelum beralih ke 40 Gbps.
Kompetisi Industri
- SK Hynix bersiap memamerkan chip GDDR7 24 Gb dengan kecepatan 48 Gbps di ISSCC 2026.
- Teknologi ini menggunakan symmetric dual-channel design dan antarmuka internal baru, melampaui ekspektasi 32–37 Gbps.
- Bandwidth per chip: naik dari 112 GB/s (28 Gbps) menjadi 192 GB/s (48 Gbps).
Implikasi
Perlombaan GDDR7 semakin cepat, dengan kebutuhan bandwidth tinggi pada modul 3 GB. Baik Samsung maupun SK Hynix berusaha memenuhi permintaan industri grafis yang terus meningkat, terutama untuk GPU generasi mendatang.
Sumber: Korea Times, harukaze5719 (X)