Samsung dikabarkan tengah melakukan perubahan besar dalam strategi produksi memorinya seiring meningkatnya permintaan global terhadap DRAM, terutama didorong oleh ekspansi masif infrastruktur AI. Mengutip laporan industri Korea dari SE Daily, Samsung berencana mengonversi sebagian lini produksi NAND flash di fasilitas Pyeongtaek dan Hwaseong menjadi lini DRAM, sekaligus menjalankan Pyeongtaek Fab 4 (P4) sebagai pabrik khusus DRAM berbasis proses 1c.
Langkah ini mencerminkan sikap hati-hati Samsung terhadap pasar NAND yang cenderung fluktuatif, sementara permintaan DRAM melonjak tajam. Harga DRAM—khususnya modul server 96 GB dan 128 GB DDR5—dikabarkan meningkat hingga 70%, namun permintaan tetap melebihi pasokan. Perusahaan teknologi besar bahkan disebut mulai mengamankan alokasi DRAM hingga tahun 2027, mengantisipasi potensi kelangkaan yang berkelanjutan.
Konversi Pabrik dan Dampaknya terhadap Kapasitas Produksi
Saat ini, Samsung memproduksi DRAM dan NAND di Pyeongtaek Fab 1 (P1), Pyeongtaek Fab 3, serta kampus Hwaseong. Namun, lini hybrid di P1 dan Hwaseong akan semakin condong ke produksi DRAM seiring dilepasnya peralatan NAND.
Fasilitas Pyeongtaek Fab 4 yang sedang dalam tahap akhir konstruksi akan mulai beroperasi tahun depan sebagai pabrik DRAM khusus menggunakan proses 1c. Samsung juga mempertimbangkan untuk mengalihfungsikan zona kedua P4—yang awalnya diproyeksikan untuk produksi foundry—menjadi lini DRAM tambahan.
Dengan perubahan ini, output DRAM Samsung dari P1 dan P4 diperkirakan meningkat signifikan pada paruh pertama 2026. Sementara itu, penurunan produksi NAND di Korea akan ditutupi melalui peningkatan produksi dari fasilitas Samsung di Xi’an, Tiongkok.
Samsung tampaknya menyiapkan diri menghadapi era kebutuhan memori berkapasitas tinggi yang terus dipacu oleh tren AI, server hyperscale, dan model-model large language model (LLM) generasi berikutnya. Pergeseran strategi ini juga menandai reorientasi besar dalam portofolio memori global perusahaan untuk beberapa tahun mendatang.
Sumber: SE Daily