onsemi Luncurkan Vertical GaN (vGaN) — Teknologi Semikonduktor Revolusioner untuk Era AI dan Elektrifikasi

Perusahaan semikonduktor global onsemi resmi memperkenalkan Vertical GaN (vGaN), teknologi daya generasi baru yang diklaim sebagai terobosan terbesar dalam efisiensi, kepadatan daya, dan ketahanan komponen untuk menghadapi era elektrifikasi dan kecerdasan buatan (AI).


Terobosan Teknologi Daya dari Pabrik Syracuse, New York

Dikembangkan dan diproduksi di fasilitas onsemi di Syracuse, NY, teknologi vGaN hadir dengan lebih dari 130 paten global yang mencakup proses manufaktur, desain perangkat, dan inovasi sistem.

Menurut Dinesh Ramanathan, Senior Vice President Corporate Strategy onsemi:

“Vertical GaN adalah game-changer bagi industri dan menegaskan kepemimpinan onsemi dalam efisiensi energi dan inovasi. Dalam era AI dan elektrifikasi, efisiensi kini menjadi tolok ukur kemajuan — dan vGaN menjadi kunci menuju masa depan dengan daya lebih tinggi, lebih hemat, dan lebih andal.”


🔋 Mengapa vGaN Penting?

Kebutuhan listrik global meningkat pesat, terutama karena pertumbuhan kendaraan listrik, energi terbarukan, dan pusat data AI yang kini mengonsumsi daya setara kota besar. Setiap watt yang dihemat kini berarti kemajuan nyata.

vGaN dirancang untuk menangani tegangan tinggi hingga 1.200 volt atau lebih, dengan efisiensi superior dalam mengalirkan arus besar pada frekuensi tinggi.
Keunggulannya:


🧠 Aplikasi Utama Vertical GaN

Teknologi vGaN akan menjadi fondasi baru untuk berbagai sektor berdaya tinggi:


⚙️ Bagaimana vGaN Bekerja

Sebagian besar perangkat GaN komersial menggunakan substrat silikon atau safir. Namun vGaN dari onsemi mengusung pendekatan GaN-on-GaN, memungkinkan arus mengalir secara vertikal melalui chip — bukan hanya di permukaan.

Hasilnya:

Dengan peningkatan ini, vGaN melampaui GaN-on-silicon dan GaN-on-sapphire, menghadirkan perangkat dengan tegangan lebih tinggi, frekuensi lebih cepat, serta ketahanan dan keandalan yang lebih baik.


📦 Ketersediaan


Sumber: onsemi

Exit mobile version