SK hynix Inc. resmi merakit sistem litografi High NA EUV pertama di industri untuk produksi massal, bertempat di fasilitas fabrikasi M16 di Icheon, Korea Selatan. Teknologi ini menandai tonggak penting dalam pengembangan DRAM generasi berikutnya dan memperkuat posisi SK hynix sebagai pemimpin dalam teknologi semikonduktor canggih.
Apa Itu High NA EUV?
High NA (Numerical Aperture) EUV adalah teknologi litografi ekstrem terbaru dari ASML yang memungkinkan pencetakan transistor lebih kecil dan lebih padat dibandingkan EUV generasi sebelumnya. Model TWINSCAN EXE:5200B dari ASML ini menawarkan:
- Ukuran transistor 1.7× lebih kecil
- Kepadatan transistor 2.9× lebih tinggi
- Peningkatan NA dari 0.33 ke 0.55 (naik 40%)
Artinya, lebih banyak chip bisa diproduksi dari satu wafer, sekaligus meningkatkan efisiensi daya dan performa DRAM.
Langkah Strategis SK hynix
SK hynix sebelumnya mulai mengadopsi teknologi EUV pada tahun 2021 untuk produksi DRAM 1anm (generasi ke-4 dari teknologi 10 nm). Kini dengan sistem High NA EUV, SK hynix berencana:
- Menyederhanakan proses EUV yang ada
- Mempercepat pengembangan DRAM generasi berikutnya
- Meningkatkan efisiensi biaya dan daya saing produk
- Menguatkan posisi di pasar memori bernilai tinggi, khususnya untuk kebutuhan AI dan komputasi generasi baru
Kolaborasi Strategis dengan ASML
Dalam acara peresmian, perwakilan dari SK hynix dan ASML menyampaikan komitmennya:
“High NA EUV adalah teknologi krusial yang membuka babak baru industri semikonduktor,” kata Kim Byeong-Chan dari ASML.
“Kami berharap infrastruktur penting ini akan mewujudkan visi teknologi kami dalam waktu dekat,” tambah Cha Seon Yong dari SK hynix.
Kesimpulan
Dengan menghadirkan High NA EUV ke jalur produksi massal, SK hynix tidak hanya siap menghadapi tantangan teknologi litografi yang ekstrem, tetapi juga siap memperkuat dominasinya di pasar DRAM berperforma tinggi. Langkah ini sangat relevan di tengah ledakan kebutuhan akan memori untuk AI, big data, dan komputasi masa depan.
Sumber: SK hynix, ASML