Rapidus, perusahaan semikonduktor asal Jepang, mengumumkan pencapaian besar dalam pengembangan teknologi manufaktur chip: sukses memproduksi prototipe awal transistor 2nm berbasis Gate-All-Around (GAA) — menjadi langkah krusial menuju produksi massal node tercanggih.
Teknologi 2nm GAA (Gate-All-Around) ini adalah generasi lanjutan dari FinFET, dirancang untuk memberikan peningkatan kinerja dan efisiensi daya secara signifikan. Prototipe berhasil diproduksi di fasilitas pengembangan Rapidus di Tokyo, sebagai bagian dari kolaborasi dengan IBM dan dukungan pemerintah Jepang.
Sorotan Teknologi:
- 🧬 Proses 2nm GAA: Menggantikan struktur FinFET dengan arsitektur nanosheet transistor, memungkinkan kontrol arus lebih presisi dan efisiensi daya lebih tinggi.
- 🔧 Produksi Berhasil di Jepang: Menandai keberhasilan lokal pertama Jepang untuk teknologi 2nm, dengan tujuan mengurangi ketergantungan pada manufaktur asing (TSMC, Samsung).
- 🤝 Kolaborasi dengan IBM: Rapidus menggunakan teknologi yang sebelumnya dikembangkan IBM, dan ditransfer melalui program kerja sama strategis.
Dampak Strategis:
- 🌏 Kemandirian Teknologi Jepang: Langkah ini memperkuat posisi Jepang dalam rantai pasok semikonduktor global, khususnya untuk chip mutakhir.
- 🧠 Menuju Produksi Massal: Rapidus menargetkan memulai volume production chip 2nm di Jepang pada 2027, menjadikannya salah satu pemain elite di industri semikonduktor canggih.
- 💡 Relevansi GAA: Arsitektur GAA dianggap sangat penting untuk mendukung beban kerja AI, mobile, dan HPC di masa depan.
Target Industri:
- Perusahaan teknologi dan AI yang membutuhkan efisiensi tinggi
- Pemerintah dan militer (strategi kemandirian chip nasional)
- Sektor manufaktur chip global